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以特征尺寸计的晶圆容量在<10nm时增长最快

2020年11月17日,硅

根据IC Insights的报告,从2024年开始,用于前沿(<10nm)工艺的集成电路容量预计将增长,并成为整个行业每月安装容量的最大部分。2020-2024年全球晶圆产能报告。在2020年底,< 10 nm产能预计将占总晶圆集成电路产业10%的容量,然后预计将在2022年首次超过20%,并增加2024年全球产能的30%(图1)。什么是生成和如何衡量每年最低几何过程变得更加困难。因此,任何关于新工艺的晶圆厂产能的假设都会对最小特征尺寸的晶圆产能预测产生很大的影响。

图1

继续缩小最小几何形状有巨大的动力,因为这些益处很多:更高的速度,较低的功耗,每单位面积的成本较低等,但是有一个点回报使芯片设计师质疑高成本是否值得。缩放的成本效益不是他们曾经是什么。

与<10nm工艺技术相关的设备成本飙升到它们对许多IC供应商的禁止变得令人望而却步。因此,只有三星,台积电和英特尔目前使用<10nm工艺技术操作Fabs。

与此同时,设计上的困难(例如,DRAM和NAND闪存单元的不断缩小)阻碍了集成电路行业多年来使用的扩展方法。对于复杂的基于逻辑的芯片,如微处理器、asic、fpga和其他先进的逻辑设备,挑战也在增加。

IC Insights认为,复杂逻辑芯片的精细功能尺寸迁移速度将继续放缓,因为芯片设计师发现越来越难以证明更高的成本是合理的。对于从更高的速度、更低的功耗等方面受益的应用,将会有对前沿finFET工艺的健康需求。半步代步或现有流程的增强版本的推出也会增加每个新代节点之间的时间。

其他结果2020-2024年全球晶圆产能报告包括,

•2020年,预计48%的晶圆产能将用于最小几何尺寸(或等效最小几何尺寸)小于20nm的设备(<10nm时为10.0%;在10-20nm 38.4%)。这些器件包括高密度DRAM和高密度3D NAND闪存,具有相当于10nm级的技术,高性能微处理器,低功耗应用处理器,以及基于16/14nm、12/10nm或7/5nm技术的高级ASIC/ASSP/FPGA器件。

•韩国,占致力于<20nm工艺技术的66%,仍然比其他地区或国家的领先优势更加专注。鉴于三星和SK海螺的重点在于高密度DRAM,闪存和三星的应用处理器,该国拥有专用于前沿流程的最高浓度浓度的晶圆容量并不令人惊讶。

•苹果、华为和高通使用台积电的前沿逻辑代工服务。因此,台湾的总<20nm产能超过了35%。尽管如此,28nm、45/40nm和65nm的产品仍然为台积电(TSMC)和联华电子(UMC)等代工厂带来了可观的业务量。

•中国大部分<20nm产能由外国公司拥有和控制,即三星、SK海力士、英特尔和台积电。YMTC和中芯国际是中国唯一提供<20nm制程技术的公司。

报告详细信息:2020-2024年全球晶圆产能
IC Insights的2020-2024全球晶圆产能IC行业晶圆厂产能详细分析与预测该报告根据晶圆大小、最小工艺几何形状、技术类型、地理区域和器件类型评估了集成电路行业到2024年的产能。该报告包括拥有最大晶圆厂产能的公司的详细概况,并对现有晶圆厂设施提供全面的规格说明。2020-2024年全球晶圆产能定价为4,890美元的个人用户许可证。一个多用户全球企业许可证的价格为7590美元。

更多信息联系方式

有关本研究公告的更多信息,请联系IC Insights总裁的Bill McClean。电话:+ 1-480-348-1133电子邮件:bill@icinsights.com

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