台积电

TSMC的16/12nm制程在业内16/14nm制程中表现最佳。与台积电的20nm SoC工艺相比，16/12nm在相同的速度下比前者快50%，功耗少60%。它为下一代高端移动计算、网络通信、消费者和汽车电子应用提供卓越的性能和功耗优势。

TSMC的10nm Fin场效应晶体管(FinFET)工艺提供了性能、功率、面积和交付参数的最具竞争力的组合。公司在2016年第一季度开始接受客户的10nm FinFET工艺，并在2017年初开始大批量出货，成功支持了主要客户的新移动产品发布。

台积电的7nm Fin场效应晶体管(FinFET)工艺技术提供了业界最具竞争力的逻辑密度，并通过在2016年6月以两位数的产量提供256Mb SRAM，引领了7nm工艺技术发展的行业步伐。2017年4月开始进行风险生产，2017年共收到十余件客户产品的断带。

TSMC的5nm Fin场效应晶体管(FinFET)工艺技术优化了移动和高性能计算应用。按计划，该公司将于2019年下半年开始风险生产。

台积电致力发展尖端科技，为半导体创新奠定基础。台积电的前沿工艺结合了先进的193nm浸没光刻技术、增强性能的硅应变技术和极低k (ELK)金属间介电材料，以支持当今先进技术设计所要求的性能和可靠性。

台积电提供代工领域领先的先进工艺技术和设计担保。包括55nm、65nm、90nm和0.13微米工艺。台积电先进的12英寸工艺技术提供了栅密度、速度和功率的最佳组合，使其成为计算、通信和消费电子等广泛应用的理想产品。每个节点都支持逻辑和混合信号/射频选项，以及可用于65nm和90nm的嵌入式DRAM选项。设计担保包括台积电内部宏和代工最大的第三方IP库组合。

台积电的开放式创新平台(Open Innovation Platform®)主要目标是先进技术的部署。这种协作模式汇集了合作伙伴和客户的最佳技术思维，并推动了台积电将先进技术流程推向采用曲线前沿的声誉。

TSMC先进技术大大领先于ITRS路线图。该公司每两年交付新一代的先进技术。每个节点比前一个节点多出将近一半的区域，通常性能比前一个节点高30%到50%，同时支持类似的泄漏级别。台积电通过在多个300mm GIGAFAB™设施上安装相同的节点，提供了大量的先进技术能力，每个设施每月可生产超过100,000个12英寸晶圆。

针对蜂窝基站、PC图形、电源IC、WLAN和蜂窝射频的应用解决方案，提供工艺技术、设计工具包和工具，以及优化成本和设备性能的测试和组装服务。我们欢迎技术阶段的引入，并支持过程定制，以满足非常具体的设计要求。

除了晶圆制造服务外，台积电亦提供广泛的后端服务。利用台积电多元化及精简的一站式服务，包括:

晶片碰撞服务

晶片在基板上

WLCSP

台积电于八十年代末开始提供测试服务，并逐渐扩展服务范围，不仅包括记忆体、逻辑和混合模式，还包括现今的射频和直接对接技术。台积电继续投资先进的ATE开发，并不断安装先进的产量分析基础设施。