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TSI半导体公司是世界一流的半导体技术开发和生产CMOS的铸造公司，是众多集成电路项目的理想合作伙伴。由于毗邻我们客户的设计和工程团队，我们正在推动创新靠近硅谷的心脏。
通过提供前所未有的现场访问我们的工厂地板和设备，我们增强了客户的设备制造能力。而且，随着我们灵活的技术发展，客户加快了学习周期，通过更好地控制和保护他们的技术和知识产权，使他们的产品更快地进入市场。
在我们位于加利福尼亚州罗斯维尔的8英寸工厂，我们提供了一系列通用的工艺技术，包括模拟/混合信号、深亚微米、高压BCDMOS和解决方案，如新型材料结构和设备。专业的铸造服务包括汽车级、高压BCDMOS，以及利用新材料、结构和器件的技术能力。
我们的工艺技术包括全系列的CMOS逻辑，包括高压和超高压节点。我们的0.18微米工艺平台高效灵活，生产出最可靠的硅芯片。我们的低电压工艺特点为1.8伏特(核心)(3.5nm栅氧化)，5伏特(I/O) (12nm栅氧化)和1.8/5伏特组合(双栅氧化3.5nm和12.0nm)的单栅和双栅氧化。增加额外的遮罩用于高压n井和高压p井电气隔离。我们的模拟/混合信号/射频工艺支持4微米厚的模拟后端金属和单级和双级MIM电容器，用于各种低功率或高速SoCs。
TSI开发和商业化服务提供了一个经过验证的过程模块和过程技术的工具箱。这些模块可以组合和集成，以提供独特的，差异化的功能，以新技术。
TSI半导体有限公司拥有大量通用的标准和专业技术流程，包括模拟/混合信号、深亚微米、高压BCDMOS和新型材料结构和器件等解决方案。我们的铸造厂是独特的安排与客户，让他们在我们的铸造厂，我们的工程师肩并肩的工作，维护最高水平的IP安全，同时受益于现场协作。我们灵活的开发和制造方法允许客户开发比其他铸造厂更广泛的材料。
硅证明设计即时客户使用:
