2020年1月2日，硅
MRAM IP是磁阻随机存取存储器IP的缩写。它是一种非易失性存储器，它不使用介质层或铁电物质，如DRAM和FRAM，而是将数据存储在磁域或存储元件中。这是在设置的帮助下完成的，也称为磁隧道结，每个组成一个单元和多个单元组成一个网格的内存存储设备。
它的工作原理是两块铁磁板之间隔着一层薄薄的绝缘层。其中一个极板是永久磁铁，这意味着它被预先设定为固定极性。而另一个板是通用的，它的磁化可以改变，以创建一个记忆存储域，当它匹配外部磁场。
从这些电池读取数据时，通过电池的电阻被测量，当它改变时，磁化极性改变。数据写入可以通过多种方式进行，其中一种是经典的设计，即当电流通过两条线时，在它们的连接处产生一个感应磁场，可写板就会吸收这股磁场。这些线围绕着每个细胞排列。
当谈到MRAM IP Core存储器的特性时，它在许多方面与DRAM相似。和后者一样，MRAM是一种高密度RAM，它的结构包括一个电容——即存储元件、导线和用于控制的晶体管。这种细胞也被称为1T1C细胞。这种结构和高密度也意味着与市场上其他ram相比，mram是一个相对便宜的选择。
与竞争对手相比，MRAM IP Core能耗更低，运行速度更快。这是因为，与DRAM不同的是，MRAM在失去电量时需要刷新，即使电源关闭或移除，也会像flash RAM一样保留内存。但与后者不同的是，MRAM不需要一个大的、消耗能量的脉冲来重写芯片，也不需要电荷泵的帮助，写只比读稍微多消耗一点能量。因此，MRAM对于那些希望延长使用寿命并降低操作成本的人来说是一个更好的选择。
